主要用途
CZ800-A、CZ900-A型硅單晶爐，是軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體（氬氣）的保護環(huán)境中，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無位錯單晶棒的設備。我所生產(chǎn)的硅單晶爐具有性價比高、成晶率高、設備整體穩(wěn)定性好等特點，并免費為客戶提供拉晶工藝、廠房布局等技術(shù)服務。

主要技術(shù)特點
真空度低，真空保持穩(wěn)定，重要的密封部位采用先進的磁流體密封技術(shù)；
機構(gòu)運行平穩(wěn)，主要運動部件均采用進口高性能電機和高精度傳動機構(gòu)；
主爐室和副爐室之間采用插板閥連接，有效降低爐體高度，降低廠房要求和減小籽晶軸的晃動；
主爐室與副爐室升降采用三相異步電機驅(qū)動，安全可靠；
完全具有自主知識產(chǎn)權(quán)的控制系統(tǒng)，以高性能進口PLC為控制核心，外加工業(yè)級PC監(jiān)控拉晶過程，性能可靠，避免死機現(xiàn)象的發(fā)生；
先進的串級控制算法，精確控制溫度和拉速，實現(xiàn)高精度的晶體生長；
全進口低壓電氣元件，保護靈敏可靠，維護方便；
觸摸屏操作界面簡潔、友好，控制過程可視性強，工藝曲線編輯方便；
單晶爐專用數(shù)字控制電源系統(tǒng)，空載電流小，能耗低。
主要技術(shù)指標
主要技術(shù)指標 CZ800-A CZ900-A
晶體直徑 6 ～ 8 〞 6 ～ 8 〞
最大加熱功率 150KW 150KW
變壓器容量 200KVA 200KVA
冷爐極限真空 ＜ 3Pa ＜ 3Pa
主爐室尺寸（mm） 內(nèi)徑×內(nèi)部高度 φ 800 × 800 內(nèi)徑×內(nèi)部高度 φ 900 × 850
爐室延伸（mm） 內(nèi)徑×內(nèi)部高度 φ 800 × 350 內(nèi)徑×內(nèi)部高度 φ 900 × 400
設備高度（mm） 5800 6400
最大裝料量 60kg 90kg
籽晶拉速范圍 0-10mm/min 0-10mm/min
籽晶在爐內(nèi)有效行程 ≥2650mm ≥3000mm
籽晶軸擺動量 引晶位置處 ≤φ 2mm 　 引晶位置處　≤φ 2mm 　
坩堝在爐內(nèi)有效行程 380mm 400mm
晶體轉(zhuǎn)速范圍 0～50rpm 0～50rpm
坩堝轉(zhuǎn)速范圍 0～30rpm 0～30rpm
聯(lián) 系 人： 陳延斌
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